BC879和BC879,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC879 BC879,112

描述 NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistorsSPT NPN 80V 1A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-92 TO-226-3

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) - 830 mW

额定电压(DC) 45.0 V -

额定电流 1.00 A -

封装 TO-92 TO-226-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape, Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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