IRFR3711Z和IRFR3711ZTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3711Z IRFR3711ZTRPBF

描述 DPAK N-CH 20V 93A晶体管, MOSFET, N沟道, 93 A, 20 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 79 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 4.50 MΩ 0.0045 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 79W (Tc) 79 W

阈值电压 - 2 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 93.0 A 93A

上升时间 13 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 2160pF @10V(Vds) 2160pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 79 W

下降时间 5.2 ns 5.2 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc)

额定电压(DC) 20.0 V -

额定电流 93.0 A -

产品系列 IRFR3711Z -

漏源击穿电压 20.0V (min) -

长度 - 6.5 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台