对比图
型号 FQNL2N50B FQNL2N50BTA
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQNL2N50BTA, 350 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-92L封装
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管
封装 TO-92 TO-226-3
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-92 TO-226-3
长度 - 4.9 mm
宽度 - 3.9 mm
高度 - 8 mm
产品生命周期 Unknown Active
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
耗散功率 - 1.5 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
上升时间 - 25 ns
输入电容(Ciss) - 180pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.5 W
下降时间 - 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.5 W
极性 N-CH -
连续漏极电流(Ids) 0.35A -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃