1N6470和JANTX1N6470

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6470 JANTX1N6470 1.5KE7.5A

描述 高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.6V 1500W硅雪崩二极管 - 1500瓦的轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Littelfuse (力特)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 G Case G DO-201

电路数 - 1 1

钳位电压 11 V 11 V 11.3 V

最大反向电压(Vrrm) - 6V -

测试电流 50 mA 50 mA 10 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 6.5 V 6.5 V 7.13 V

击穿电压 6.5 V 6.5 V 7.13 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 7.50 V

额定功率 - - 1.50 kW

击穿电压 - - 7.13 V

耗散功率 - - 1.5 kW

最大反向击穿电压 - - 7.88 V

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 200 A

正向电压(Max) - - 3.5 V

工作结温 - - -55℃ ~ 175℃

封装 G Case G DO-201

长度 - - 9.50 mm

直径 - - 5.30 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Bag Bag Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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