JAN1N4370UR-1和JANTXV1N4370DUR-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4370UR-1 JANTXV1N4370DUR-1 JAN1N4370DUR-1

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESZener Diode, 2.4V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, DO-213AA

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 DO-213AA DO-213AA -

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 - 2.4 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-213AA DO-213AA -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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