BUK98150-55和BUK98150-55A,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK98150-55 BUK98150-55A,135 PHT6N06TT/R

描述 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FETTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SC-73 TO-261-4 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 5.5A 5.50 A -

耗散功率 - 8W (Tc) -

上升时间 - 57 ns -

输入电容(Ciss) - 320pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 8 W -

下降时间 - 13 ns -

耗散功率(Max) - 8W (Tc) -

封装 SC-73 TO-261-4 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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