对比图
型号 BUK98150-55 BUK98150-55A,135 PHT6N06TT/R
描述 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FETTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RPower Field-Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管
封装 SC-73 TO-261-4 -
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 4 -
极性 N-CH N-Channel -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -
连续漏极电流(Ids) 5.5A 5.50 A -
耗散功率 - 8W (Tc) -
上升时间 - 57 ns -
输入电容(Ciss) - 320pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 8 W -
下降时间 - 13 ns -
耗散功率(Max) - 8W (Tc) -
封装 SC-73 TO-261-4 -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -