71V67602S150BGG和IDT71V67602S150BGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V67602S150BGG IDT71V67602S150BGI IDT71V67602S150BG

描述 静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L256K X 36 , 512K X 18 3.3V同步SRAM 2.5VI / O,突发计数器流水线输出,单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect256K X 36 , 512K X 18 3.3V同步SRAM 2.5VI / O,突发计数器流水线输出,单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PBGA-119 BGA-119 BGA-119

引脚数 119 - -

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

存取时间 3.8 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

封装 PBGA-119 BGA-119 BGA-119

长度 14 mm - -

宽度 22 mm - -

高度 2.15 mm - -

厚度 2.15 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 3A991

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