对比图
型号 APT8020JLL APT8024JLL IXFN44N80
描述 SOT-227 N-CH 800V 33ASOT-227 N-CH 800V 29AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Screw Screw Chassis
引脚数 4 4 3
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) 800 V 800 V -
额定电流 33.0 A 29.0 A -
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 520 W 460W (Tc) 700 W
输入电容 5.20 nF 4.67 nF -
栅电荷 195 nC 160 nC -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 33.0 A 29.0 A 44.0 A
上升时间 14 ns 5 ns 48 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds)
下降时间 10 ns 4 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 460W (Tc) 700W (Tc)
额定功率(Max) - 460 W -
额定功率 - - 700 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 165 mΩ
阈值电压 - - 4.5 V
工作结温(Max) - - 150 ℃
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
重量 - - 0.000036 kg
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99