对比图
型号 IPI65R190CFD SPI20N60CFDHKSA1 IPI65R190CFDXKSA1
描述 ？金属氧化物Semiconduvtor场效应晶体管 Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect TransistorTO-262 N-CH 600V 20.7ATO-262 N-CH 650V 17.5A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 208W (Tc) 151W (Tc)
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 17.5A 20.7A 17.5A
输入电容(Ciss) 1850pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1850pF @100V(Vds)
耗散功率(Max) - 208W (Tc) 151W (Tc)
额定功率 - - 151 W
上升时间 8.4 ns - 8.4 ns
下降时间 6.4 ns - 6.4 ns
阈值电压 4 V - -
额定功率(Max) 151 W - -
工作温度(Min) -55.0 ℃ - -
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3
长度 10.2 mm - 10.2 mm
宽度 4.5 mm - 4.5 mm
高度 9.45 mm - 9.45 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube, Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅