对比图
型号 VI30100S-E3/4W VI30100SG-E3/4W NTSB30100S-1G
描述 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A肖特基二极管与整流器 LVFR 30A 100V IN I2PAK
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 整流二极管TVS二极管肖特基二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 - - 4
输出电流 ≤30.0 A ≤30.0 A -
正向电压 910mV @30A 1V @30A 950mV @30A
极性 Standard Standard -
正向电流 30 A - 30 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 250 A - 250 A
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃
正向电压(Max) - 1V @30A 950 mV
正向电流(Max) - - 30 A
长度 10.45 mm - -
宽度 4.7 mm - -
高度 8.89 mm - -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17