MMSZ4683T1G和MMSZ5225BT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMSZ4683T1G MMSZ5225BT1G MMSZ3V0T1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMSZ4683T1G  单管二极管 齐纳, 3 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °CON SEMICONDUCTOR  MMSZ5225BT1G  单管二极管 齐纳, 3 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °CON SEMICONDUCTOR  MMSZ3V0T1G  齐纳二极管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-123-2 SOD-123 SOD-123-2

额定电压(DC) 3.00 V 3.00 V 3.00 V

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

额定功率 500 mW 500 mW 500 mW

击穿电压 3.15 V 3.15 V -

针脚数 2 2 2

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA 900mV @10mA

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 0.05 mA 20 mA 5 mA

最大反向击穿电压 3.15 V - -

正向电流 10 mA - -

稳压值 3 V 3 V 3 V

正向电压(Max) 0.9 V 900mV @10mA 900mV @10mA

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

长度 2.69 mm 2.69 mm 2.69 mm

宽度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm

高度 1.25 mm 1.12 mm 1.25 mm

封装 SOD-123-2 SOD-123 SOD-123-2

材质 Plastic Plastic -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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