对比图
型号 FS10R12YT3 FS25R12W1T4
描述 IGBT Modules N-CH 1.2kV 16AINFINEON FS25R12W1T4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 205 W, 1.2 kV, Module
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
安装方式 Screw Screw
引脚数 - 18
封装 EASY-2 AG-EASY1B-1
针脚数 - 18
极性 - N-Channel
耗散功率 - 205 W
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V
输入电容(Cies) - 1.45nF @25V
额定功率(Max) - 205 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
耗散功率(Max) - 205 W
长度 - 33.8 mm
宽度 45.6 mm 33.8 mm
高度 - 12 mm
封装 EASY-2 AG-EASY1B-1
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - PB free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99
香港进出口证 - NLR