BSC0902NS和BSC091N03MSCG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC0902NS BSC091N03MSCG FDMS8670S

描述 INFINEON  BSC0902NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 VPower Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8N沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 PG-TDSON-8 - Power-56-8

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 42.0 A

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 48 W - 2.5 W

输入电容 - - 4.00 nF

栅电荷 - - 73.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 24A - 42.0 A

上升时间 5.2 ns - 19 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) - 4000pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 48 W - 2.5 W

下降时间 3.6 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) - 2.5W (Ta), 78W (Tc)

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0022 Ω - -

阈值电压 1.2 V - -

长度 5.9 mm - 6 mm

宽度 5.15 mm - 5 mm

高度 1.27 mm - 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8 - Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

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