对比图
型号 MMBT918 BFG67/X,215 MPSH10RLRPG
描述 t-Npn Si- VhfNXP### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsVHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 分立器件双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - 4 3
封装 - TO-253-4 TO-92-3
耗散功率 - 380 mW 350 W
击穿电压(集电极-发射极) - 10 V 25 V
最小电流放大倍数(hFE) - 60 @15mA, 5V 60 @4mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 60 -
额定功率(Max) - 380 mW 350 mW
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 380 mW 350000 mW
频率 - - 650 MHz
额定电压(DC) - - 25.0 V
额定电流 - - 4.00 mA
极性 - - NPN
长度 - 3 mm 5.2 mm
宽度 - 1.4 mm 4.19 mm
高度 - 1 mm 5.33 mm
封装 - TO-253-4 TO-92-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99