对比图
型号 BCW69,215 BCW70LT1G BC857ALT1G
描述 TO-236AB PNP 45V 0.1AON SEMICONDUCTOR BCW70LT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFEPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - -45.0 V -45.0 V
额定电流 - -100 mA -100 mA
针脚数 - 3 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.25 W 225 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V
额定功率(Max) 250 mW 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) - 215 90
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -50 ℃
耗散功率(Max) 250 mW 300 mW 300 mW
频率 100 MHz - 100 MHz
增益频宽积 - - 100 MHz
长度 - 2.9 mm 3.04 mm
宽度 - 1.3 mm 1.4 mm
高度 - 0.94 mm 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99