AUIRF3710Z和CSD19534KCS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF3710Z CSD19534KCS NTP6412ANG

描述 INFINEON  AUIRF3710Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2 VCSD19534KCS 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETN 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.014 Ω 0.0137 Ω 0.0168 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 118 W 167 W

阈值电压 2 V 2.8 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 59A 100A 58.0 A

上升时间 77 ns 2 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 1290pF @50V(Vds) 3500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 167 W

下降时间 56 ns 1 ns 126 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 118W (Tc) 167W (Tc)

正向电压(Max) - 1.1 V -

额定功率 160 W - -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 100 V - -

长度 10.66 mm 10.67 mm 10.28 mm

宽度 4.82 mm 4.7 mm 4.82 mm

高度 16.51 mm 16.51 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs 正在供货 Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2016/06/20

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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