对比图
型号 PHD55N03LT PHD55N03LTA PHD55N03LTA,118
描述 MOSFET N-CH 25V 55A DPAKPHD55N03LTA N沟道MOSFET 25V 4A TO-252/D-PAK marking/标记 PHD55N03LTA 雪崩能量/桥电路中使用MOSFET N-CH 25V 55A DPAK
数据手册 ---
制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
封装 - TO-252 TO-252-3
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
封装 - TO-252 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.38 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 14 mΩ
耗散功率 - - 85 W
漏源极电压(Vds) - - 25 V
漏源击穿电压 - - 25 V
上升时间 - - 45 ns
输入电容(Ciss) - - 950pF @25V(Vds)
下降时间 - - 40 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
耗散功率(Max) - - 85W (Tc)
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)