PBRP113ET和PBRP113ET,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBRP113ET PBRP113ET,215

描述 NXP  PBRP113ET  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 mW, -600 mA, 210 hFE晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -40 V, -800 mA, 1 kohm, 1 kohm

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

耗散功率 250 mW 570 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) - 130 @300mA, 5V

额定功率(Max) - 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 570 mW

针脚数 3 -

极性 PNP -

集电极最大允许电流 600mA -

直流电流增益(hFE) 210 -

封装 SOT-23 SOT-23-3

高度 - -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99

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