对比图
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, PLASTIC, M135, 4PinTrans Rf Bipo 13W 1A M135射频线NPN硅功率晶体管100W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 4 4 4
封装 M135 - 316-01
安装方式 - - Chassis
频率 175 MHz - -
耗散功率 30 W - 270 W
增益 8.2 dB - 10 dB
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 30000 mW 13000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) - - 35 V
最小电流放大倍数(hFE) - - 10 @5A, 5V
额定功率(Max) - - 100 W
高度 19.05 mm - -
封装 M135 - 316-01
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Bulk - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
材质 - Silicon -