2N3637L和JANS2N3637

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3637L JANS2N3637 JANTX2N3637

描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORTrans GP BJT PNP 175V 1A 3Pin TO-39 Bulk

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 3

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39-3

耗散功率 - 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 175 V 175 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW

极性 PNP - PNP

集电极最大允许电流 1A - -

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39-3

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

军工级 - - Yes

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台