对比图
型号 BZM55C6V8 BZT52C6V8S BZX384-C6V8
描述 硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-DiodesZener Diode,齐纳二极管 300mW，BZX384 系列，Nexperia齐纳电压容差为 2% (BZX384-B) 和大约 5% (BZX384-C) 表面安装外壳：SOD-323 (SC-76)### 齐纳二极管，Nexperia
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Good-Ark Electronics (固锝) Nexperia (安世)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 2
封装 MicroMELF - UMD
测试电流 - - 5 mA
稳压值 6.8 V - 6.8 V
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 300 mW
耗散功率 500 mW - -
长度 - - 1.8 mm
宽度 - - 1.35 mm
高度 - - 1.05 mm
封装 MicroMELF - UMD
温度系数 - - 3 mV/℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - -