2SA733G-P-AE3-R和KSA1175GBU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA733G-P-AE3-R KSA1175GBU 2SA733-P-AE3-R

描述 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3Pin TO-92S BulkPNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 UTC (友顺) Fairchild (飞兆/仙童) UTC (友顺)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 SOT-23 TO-226-3 SOT-23

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 0.15A -

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @1mA, 6V -

额定功率(Max) - 250 mW -

封装 SOT-23 TO-226-3 SOT-23

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

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