对比图
型号 IS42RM16800G-75BLI IS42SM16800G-75BI IS42VM16800G-75BLI
描述 DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGADRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54Pin TFBGA128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 54 - 54
封装 BGA-54 TFBGA-54 BGA-54
供电电流 55 mA - 55 mA
存取时间 - - 7.5 ns
存取时间(Max) 8ns, 6ns - 8ns, 6ns
工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V 3V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.95V
电源电压(Max) - - 3.6 V
电源电压(Min) - - 2.7 V
位数 16 - -
高度 0.8 mm - 0.8 mm
封装 BGA-54 TFBGA-54 BGA-54
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tray - Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅