对比图
型号 IRF5305SPBF IRF5305STRR
描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK P-CH 55V 31A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.06 Ω -
极性 P-Channel P-CH
耗散功率 110 W 3.8W (Ta), 110W (Tc)
产品系列 - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
漏源击穿电压 - -
连续漏极电流(Ids) 31A 31A
上升时间 66 ns -
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
额定功率 110 W -
通道数 1 -
阈值电压 4 V -
下降时间 63 ns -
长度 10.67 mm -
高度 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3
宽度 9.65 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 - -