对比图
型号 IRF9310PBF IRF9310TRPBF FDS6681Z
描述 INFINEON IRF9310PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -1.8 VINFINEON IRF9310TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0039 ohm, -10 V, -1.8 V 新FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6681Z 晶体管, MOSFET, P沟道, 20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 2.5 W 2.5 W -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 3.9 mΩ 0.0039 Ω 0.0038 Ω
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 20A -20.0 A -20.0 A
上升时间 47 ns 47 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 5250pF @15V(Vds) 5250pF @15V(Vds) 7540pF @15V(Vds)
下降时间 70 ns 70 ns 380 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
产品系列 - IRF9310 -
输入电容 - 5250 pF 7.54 nF
额定功率(Max) - 2.5 W 1 W
额定电压(DC) - - -30.0 V
额定电流 - - -20.0 A
栅电荷 - - 185 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 4.98 mm 5 mm 5 mm
宽度 3.99 mm 4 mm 4 mm
高度 1.57 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99