2N6768和JAN2N6768

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6768 JAN2N6768 JANTXV2N6768

描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FETMOSFET N-CH TO-204AE TO-3Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-204 TO-204

耗散功率 - 4W (Ta), 150W (Tc) 4 W

漏源极电压(Vds) - 400 V 400 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc)

封装 - TO-204 TO-204

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

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