BC239和ZTX653

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC239 ZTX653 2N5089

描述 0.35W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.1A Ic, 120 - 800 hFEZTX653 系列 NPN 2 A 100 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3NTE ELECTRONICS 2N5089 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45V, 160MHz, 625mW, 200mA, 400 hFE

数据手册 ---

制造商 Continental Device Diodes (美台) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-92-3 TO-92

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 1 W 625 mW

直流电流增益(hFE) - 100 400

工作温度(Max) - 200 ℃ 150 ℃

频率 - 175 MHz -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 2.00 A -

额定功率 - 1 W -

增益频宽积 - 175 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V -

集电极最大允许电流 - 2A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

封装 - TO-92-3 TO-92

长度 - 4.77 mm -

宽度 - 2.41 mm -

高度 - 4.01 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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