NTP75N03-06和SUP75N03-04-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTP75N03-06 SUP75N03-04-E3 NTP75N03-06G

描述 功率MOSFET 75安培, 30伏特N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAKTrans MOSFET N-CH 30V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220ABTO-220AB N-CH 30V 75A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75.0 A 75A

漏源极电阻 - 0.006 Ω -

耗散功率 - 187 W -

输入电容 - 10742pF @25V -

漏源击穿电压 - 30 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 40 ns -

热阻 - 0.6℃/W (RθJC) -

输入电容(Ciss) - 10742pF @25V(Vds) -

下降时间 - 95 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 3.7W (Ta), 187W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.51 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

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