对比图
型号 STD86N3LH5 TK18A50D IRLR3114ZPBF
描述 N沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFETTO-220SIS N-CH 500V 18AN沟道 40V 42A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-252-3 TO-220 TO-252-3
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 3
极性 - N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 30 V 500 V 40 V
连续漏极电流(Ids) - 18A 130 A
耗散功率(Max) 70W (Tc) 50W (Tc) -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0045 Ω - 6.5 mΩ
耗散功率 70 W - 140 W
阈值电压 1.8 V - -
输入电容 1850 pF - 3810pF @25V
上升时间 14 ns - -
输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) - 3810pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W - 140 W
下降时间 10.8 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
产品系列 - - IRLR3114Z
封装 TO-252-3 TO-220 TO-252-3
长度 6.6 mm - 6.73 mm
宽度 6.2 mm - -
高度 2.4 mm - 2.39 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
工作温度 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃
ECCN代码 EAR99 - EAR99