IRFL4310PBF和STN2NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFL4310PBF STN2NF10 IRFL4310TRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFL4310PBF  场效应管, MOSFET, NSTMICROELECTRONICS  STN2NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFL4310TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 1.60 A 2.00 A -

针脚数 3 4 4

漏源极电阻 0.2 Ω 0.23 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.1 W 3.3 W 2.1 W

产品系列 IRFL4310 - -

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 330pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 1.60 A 2.00 A 2.2A

上升时间 18.0 ns 10 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 3.3 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - - 2.1 W

下降时间 - 3 ns 20 ns

耗散功率(Max) - 3.3W (Tc) 1W (Ta)

通道数 - 1 -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 6.7 mm 6.5 mm -

高度 1.45 mm 1.8 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

宽度 - 3.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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