IRS2301S和IRS2301STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS2301S IRS2301STRPBF IRS2301SPBF

描述 600V High and Low Side Driver IC with typical 0.2A source and 0.35A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IRS2301SPBF  门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

输出电流 0.2 A - 200 mA

电源电压(DC) - - 5.00V (min)

上升/下降时间 - 130ns, 50ns 130ns, 50ns

输出接口数 - 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 625 mW 625 mW

上升时间 - 130 ns 220 ns

下降时间 - 50 ns 80 ns

下降时间(Max) - 80 ns 80 ns

上升时间(Max) - 220 ns 220 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW

电源电压 - 5V ~ 20V 5V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V 20 V

电源电压(Min) - 5 V 5 V

静态电流 - 160 µA -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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