GS8182T08BGD-200和UPD44164082AF5-E50-EQ2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8182T08BGD-200 UPD44164082AF5-E50-EQ2 GS8182T08BGD-200I

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 8 18M2MX8 DDR SRAM, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 8 18M

数据手册 ---

制造商 GSI Renesas Electronics (瑞萨电子) GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA-165 LBGA BGA-165

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 165 -

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

封装 BGA-165 LBGA BGA-165

长度 - 15 mm -

宽度 - 13 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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