FDS4685和SI4401DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4685 SI4401DY-T1-E3 AO4485

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4685.  晶体管, P沟道MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC-40V,-10A,P沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - - 1.1 W

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.5 W 1.5W (Ta) 1.7 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 8.20 mA -10.5 A 10A

上升时间 11 ns - 20 ns

正向电压(Max) - - 1 V

输入电容(Ciss) 1872pF @20V(Vds) - 3000pF @20V(Vds)

下降时间 18 ns - 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.7W (Ta)

漏源极电阻 0.022 Ω 15.5 mΩ -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

额定电压(DC) -40.0 V - -

额定电流 -8.20 A - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

输入电容 1.87 nF - -

栅电荷 19.0 nC - -

漏源击穿电压 40 V - -

额定功率(Max) 1.2 W - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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