J174和J175

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J174 J175

描述 P-channel silicon field-effect transistorsP沟道开关 P-Channel Switch

数据手册 --

制造商 Philips (飞利浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - TO-226-3

额定电压(DC) - -30.0 V

额定电流 - 50.0 mA

击穿电压 - 30.0 V

漏源极电阻 - 125 Ω

极性 - P-Channel

耗散功率 - 350 mW

漏源极电压(Vds) - 30 V

栅源击穿电压 - 30 V

连续漏极电流(Ids) - -60.0 mA

击穿电压 - 30 V

额定功率(Max) - 350 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

高度 - 5.33 mm

封装 - TO-226-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99

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