对比图
型号 VN0300L VN0300L-G VN0300LTR1
描述 MOSFET N-CH 60V 200mA TO-92晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 640 mA, 30 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.5 VSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-92-3 TO-92-3 -
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 200 mA - -
耗散功率 350mW (Tc) 1 W -
漏源极电压(Vds) 60 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 200 mA 0.64A -
输入电容(Ciss) 100pF @15V(Vds) 190 pF -
耗散功率(Max) 350mW (Tc) 1W (Tc) -
额定功率 - 1 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 1.2 Ω -
极性 - N-CH -
阈值电压 - 2.5 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-92-3 TO-92-3 -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Bulk Bag -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Contains Lead Lead Free -
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -