VN0300L和VN0300L-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN0300L VN0300L-G VN0300LTR1

描述 MOSFET N-CH 60V 200mA TO-92晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 640 mA, 30 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.5 VSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92-3 TO-92-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 200 mA - -

耗散功率 350mW (Tc) 1 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 200 mA 0.64A -

输入电容(Ciss) 100pF @15V(Vds) 190 pF -

耗散功率(Max) 350mW (Tc) 1W (Tc) -

额定功率 - 1 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 1.2 Ω -

极性 - N-CH -

阈值电压 - 2.5 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-92-3 TO-92-3 -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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