LM185H-1.2和LM285M-1.2/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM185H-1.2 LM285M-1.2/NOPB LM385MX-1.2/NOPB

描述 LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeTEXAS INSTRUMENTS  LM285M-1.2/NOPB  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 1.235V, SOIC-8LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 8 8

封装 TO-46-2 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - 10.0 A -

容差 ±1 % ±1 % ±2 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

供电电流 - 10.0 mA -

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

输出电压(Max) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

精度 - 1 % -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.45 mm 1.45 mm

封装 TO-46-2 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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