BCW61D和BCW61D,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW61D BCW61D,215

描述 Transistor PNP BCW61/BCW61D PHILIPS miliampere=100V=32 SOt23TO-236AB PNP 32V 0.1A

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - SOT-23-3

极性 - PNP

耗散功率 - 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 32 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 380 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW

针脚数 - -

直流电流增益(hFE) - -

高度 - 1 mm

封装 - SOT-23-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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