BZV85-C12和BZX85C12 SB00018/E1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV85-C12 BZX85C12 SB00018/E1 BZX85C12-TAP

描述 NXP  BZV85-C12  单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °CVISHAY BZX85C12 SB00018/E1 Zener Single Diode, 12V, 1.3W, DO-41, 5%, 2Pins, 175℃VISHAY  BZX85C12-TAP  单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41 DO-41

针脚数 2 - 2

耗散功率 1 W 1.3 W 1.3 W

稳压值 12 V 12 V 12 V

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 175 ℃

测试电流 - 20 mA 20 mA

容差 - - ±5 %

额定功率 - - 1.3 W

击穿电压 - - 12.0 V

额定功率(Max) - - 1.3 W

耗散功率(Max) - - 1.3 W

封装 DO-41 DO-41 DO-41

长度 - - 4.1 mm

宽度 - - 2.6 mm

高度 - - 2.6 mm

产品生命周期 Unknown - Active

包装方式 Cut Tape (CT) Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 - - 175 ℃

ECCN代码 - - EAR99

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