对比图
型号 BUK9504-40A STP200NF04 STP120N4F6
描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 300 W 310 W 110 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
上升时间 - 320 ns 70 ns
输入电容(Ciss) - 5100pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 310 W 110 W
下降时间 - 120 ns 20 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 310W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -
额定电流 198 A 120 A -
极性 N-CH N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 198A 120 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0033 Ω -
阈值电压 - 4 V -
漏源击穿电压 - 40.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 15.75 mm 15.75 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Rail Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR