对比图
型号 IRS2118SPBF IRS2118STRPBF
描述 INFINEON IRS2118SPBF 芯片, 高边驱动器, 反相输入MOSFET驱动器, 高压侧, 10 V至20 V电源, 600 mA输出, 105 ms延迟, NSOIC-8
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器负载控制器
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 625 mW -
上升/下降时间 75ns, 35ns 75ns, 35ns
输出接口数 1 1
输出电压 600 V -
输出电流 290.600 mA -
通道数 1 -
针脚数 8 8
耗散功率 625 mW 625 mw
下降时间(Max) 65 ns 65 ns
上升时间(Max) 130 ns 130 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW
电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V
电源电压(Max) 20 V 20 V
电源电压(Min) 10 V 10 V
长度 5 mm -
宽度 4 mm -
高度 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 -