对比图
型号 IXDD609SI IXDD609SITR
描述 IXDD609 系列 9 A 35 V 表面贴装 低压侧 超快 Mosfet 驱动器 - SOIC-8低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 22ns, 15ns 22ns, 15ns
输出接口数 1 1
输出电流 2 A -
上升时间 35 ns -
输出电流(Max) 2 A -
下降时间 25 ns -
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
下降时间(Max) - 25 ns
上升时间(Max) - 35 ns
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99