AS7C31026B-10JCN和K6R1016V1D-JC10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS7C31026B-10JCN K6R1016V1D-JC10 CY7C1021CV33-10VC

描述 SRAM 1M, 3.3V, 10ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAM

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Samsung (三星) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOJ-44 SOJ BSOJ-44

工作电压 3V ~ 3.6V - -

存取时间 10 ns - 10.0 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - - 10.0 GHz

内存容量 - - 1000000 B

封装 SOJ-44 SOJ BSOJ-44

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

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