BZV55-C56和BZV55-C56,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C56 BZV55-C56,115 PMBT3904M,315

描述 NXP  BZV55-C56  单管二极管 齐纳, 56 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CNexperia BZV55-C56,115 单路 齐纳二极管, 56V 5% 500 mW, 2引脚 MiniMELF封装NXP  PMBT3904M,315  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 260 mW, 200 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 3

封装 SOD-80 SOD-80 SOT-883-3

容差 - ±5 % -

针脚数 2 2 3

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 500 mW 0.5 W 260 mW

测试电流 2 mA 2 mA -

稳压值 56 V 56 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW 590 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 590 mW

频率 - - 300 MHz

极性 - - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - - 40 V

集电极最大允许电流 - - 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 60 @0.1mA, 1V

直流电流增益(hFE) - - 100

长度 3.7 mm 3.7 mm -

宽度 1.6 mm 1.6 mm 0.62 mm

高度 1.6 mm 1.6 mm -

封装 SOD-80 SOD-80 SOT-883-3

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ)

温度系数 52 mV/℃ 52 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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