LM385M-1.2和LM385MX-1.2/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385M-1.2 LM385MX-1.2/NOPB LM385D-1.2G

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM385M-1.2  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385系列, 1.235V, SOIC-8LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeON SEMICONDUCTOR  LM385D-1.2G.  芯片, 电压基准, 1.235V, 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±2 % ±2 % ±2 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

输出电压(Max) 1.235 V 1.235 V 1.26 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) 20 mA 20 mA 20 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

无卤素状态 - - Halogen Free

额定电压 - - 1.235 V

额定电流 10.0 A - -

供电电流 10.0 mA - -

工作结温(Max) 70 ℃ - -

精度 2 % - -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.45 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃ ±80 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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