CY62137FV30LL-45BVXI和CY62137FV30LL-45BVXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62137FV30LL-45BVXI CY62137FV30LL-45BVXIT IS62WV12816BLL-55BLI-TR

描述 异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)静态随机存取存储器 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP 静态随机存取存储器2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K X 16,55ns,2.5V 3.6V,48 Ball MBGA (6x8 Mm), Leadfree

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48

供电电流 18 mA 18 mA 3 mA

针脚数 48 - -

时钟频率 1 MHz - -

位数 16 16 16

存取时间 45 ns 45 ns 55 ns

内存容量 250000 B - 2000000 B

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.2 V - -

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

长度 8 mm - -

宽度 6 mm - -

高度 0.21 mm - -

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a EAR99

香港进出口证 NLR - -

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