NVTR4503NT1G和ZXMN3A01F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NVTR4503NT1G ZXMN3A01F NTR4503NT1G

描述 N 通道功率 MOSFET,30V,ON SemiconductorDIODES INC.  ZXMN3A01F  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 VON SEMICONDUCTOR  NTR4503NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 140 mohm, 4.5 V, 1.75 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 2.50 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.085 Ω 0.12 Ω 0.14 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 730 mW 806 mW 730 mW

阈值电压 1.75 V 1 V 1.75 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2A 2.00 A 2.50 A, 2.50 mA

输入电容(Ciss) 135pF @15V(Vds) - 250pF @24V(Vds)

额定功率(Max) 420 mW - 420 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 420mW (Ta) - 730 mW

通道数 1 - -

长度 3.04 mm - 3.04 mm

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 1.01 mm - 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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