BC558BTFR和BC559BTAR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC558BTFR BC559BTAR BC558BU

描述 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin TO-92 T/RTrans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - - 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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