对比图
型号 IRF6798MTRPBF IRF6898MTRPBF IRF6798MTR1PBF
描述 Direct-FET N-CH 25V 37AINFINEON IRF6898MTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 213 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.6 V 新Direct-FET N-CH 25V 37A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 Direct-FET DirectFET-MX Direct-FET
引脚数 - 7 7
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 2.8W (Ta), 78W (Tc) 78 W 2.8 W
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 37A 35A 37A
上升时间 31 ns 46 ns -
输入电容(Ciss) 6560pF @13V(Vds) 5435pF @13V(Vds) 6560pF @13V(Vds)
下降时间 16 ns 19 ns -
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
额定功率 - 78 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 7 -
阈值电压 - 1.6 V 1.8 V
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -
封装 Direct-FET DirectFET-MX Direct-FET
宽度 - 5.05 mm -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -