CM200TU-12F和MWI150-06A8

对比图

型号 CM200TU-12F MWI150-06A8 MG200J6ES60

描述 POWEREX CM200TU-12F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200A, 600V, 600W, 600V, Module分立半导体模块 150 Amps 600VGTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications

数据手册 ---

制造商 Powerex IXYS Semiconductor Toshiba (东芝)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Chassis Screw -

引脚数 17 19 -

封装 Module E3 -

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 170 A -

耗散功率 600 W 515000 mW -

上升时间 - 30.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

输入电容(Cies) 54nF @10V 6.5nF @25V -

额定功率(Max) 590 W 515 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 515000 mW -

极性 N-Channel - -

封装 Module E3 -

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -