IRFR5305TRPBF和IRFR5305TRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR5305TRPBF IRFR5305TRRPBF IRFR5305PBF

描述 INFINEON  IRFR5305TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 VDPAK P-CH 55V 31AINFINEON  IRFR5305PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 89 W - 89 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.065 Ω - 0.065 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 110 W 110W (Tc) 110 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 31A 31A 31A

上升时间 66 ns 66 ns 66 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W - 110 W

下降时间 63 ns 63 ns 63 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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